Поддержку оперативной памяти формата
LPDDR4 в объеме 8 Гбайт обеспечит компания
Qualcomm в новом чипсете
Qualcomm Snapdragon 830. Напомним, флагманским мобильным процессором чипмейкера в 2015-м году был
Snapdragon 810. Его достоинства в виде высокой степени производительности очерняло одно крайне неприятное свойство — пропуск тактов из-за перегрева. В 2016-м году производитель обещает предложить еще более быстрый, но при этом значительно менее горячий
Snapdragon 820 с целым спектром дополнительных технологий для обработки современных форматов «тяжелого» контента, виртуальной и дополненной реальности.
Однако главный прецедент эволюции мобильных чипсетов ожидается в поколении
Snapdragon 830, о котором
заговорили инсайдеры. Его производство якобы уже начато. В течение 2016-го года
Qualcomm собирается подготовить площадку в кооперации с ключевыми партнерами для запуска
830-й модели в начале 2017-го и оснащения оной топовых смартфонов. Как сообщается, это будет 10-нанометровый процессор с многоядерной конфигурацией на базе архитектуры
Kyro. А ключевой особенностью его станет значительно оптимизированная подсистема памяти, благодаря чему объем оперативной памяти можно будет увеличить до 8 Гбайт.
Со стороны производителей памяти пока не имеется каких-либо заметных сподвижек в данной области. Так, осенью 2015-го один из крупнейших вендоров на рынке оперативной памяти компания
Samsung представила 20-нанометровые чипы памяти
LPDDR4 с плотностью 12 Гбит, которые возможно выстраивать в конфигурации объемом до 6 Гбайт. То есть в коммуникаторах теоретически уже сегодня доступно применение таких емких модулей оперативной памяти. Хотя, по предварительным сведениям,
Samsung отказалась от их использования в своем главном смартфоне 2016-го года
Galaxy S7 — в китайских соцсетях уже вовсю
обсуждают утечку из бенчмарка
AnTuTu с характеристиками данной модели (
SM-G930F), где
указаны 4 Гбайт ОЗУ наряду с процессором
Exynos 8890.