Qualcomm завершила создание чипа Snapdragon 820
11 ноября 2015г.
Развитие смартфонного рынка во многом зависит от быстродействия и экономичности мобильных чипсетов. И на плечи американского процессорного гиганта Qualcomm взвалена одна из самых ответственных ролей в отрасли — ее чипсеты Snapdragon применяются в подавляющем большинстве портативных устройств, как наиболее сбалансированные и доступные. Ежегодно компания старается держать марку, выпуская все более мощный и все менее требовательный к аккумулятору мобильный процессор, занимающий место локомотива всей линейки. На него ровняются даже конкуренты, чтобы соответствовать мировым IT-трендам, где законодателем в 2015-м году, например, становится Qualcomm Snapdragon 820 — топовый представитель. Именно данная модель была анонсирована этой осенью на IFA 2015 в Берлине, и именно ее предстоит использовать во флагманских смартфонах и планшетах в грядущем 2016-м.
Разработка далась компании непросто. Предшественник Snapdragon 810 изобиловал недостатками из-за высокой тактовой частоты. По сути процессор работал на пределе и перегревался, из-за чего встроенная система пропуска тактов пыталась снизить тепловыделение в ущерб производительности. Был выбор — или бросить все ресурсы на доделку 810-го, либо начать создание 820-го, признав несостоятельность первого. Во втором случае Qualcomm пришлось бы столкнуться с вероятными неустойками в отношениях с партнерами, был риск того, что до конца 2015-го года инженеры не успеют создать опытный рабочий образец, а будущие заказчики навсегда оборвут всякие связи.
Но все обошлось. Создание Snapdragon 820 завершено, о чем Qualcomm объявила официально на брифинге в Нью-Йорке. Сильной стороной данного 64-битного чипсета становится база FinFET с 14-нанометровым техпроцессом, усовершенствованный многоядерный блок из четырех Kryo-голов вместо восьми, как у модели 810. Тактовая частота четырехъядерной конфигурации Snapdragon 820 составляет 2.2 ГГц. На аппаратном уровне обеспечена поддержка оперативной памяти формата LPDDR4 с тактовой частотой до 1866 МГц, LTE X12 (прирост скорости на 33% в сравнении с LTE X10), взаимодействия с видеотрактом Adreno 530 с 40%-м приростом быстродействия в сравнении с Adreno 430, графического API OpenGL ES 3.1+, разрешения 4K для базового дисплея или внешнего монитора/телевизора (при Full HD базового), технологии быстрой подзарядки Qualcomm Quick Charge 3.0 (двукратный прирост скорости зарядки), Wi-Fi 802.11ac (Qualcomm VIVE) и многое другое.
Но все обошлось. Создание Snapdragon 820 завершено, о чем Qualcomm объявила официально на брифинге в Нью-Йорке. Сильной стороной данного 64-битного чипсета становится база FinFET с 14-нанометровым техпроцессом, усовершенствованный многоядерный блок из четырех Kryo-голов вместо восьми, как у модели 810. Тактовая частота четырехъядерной конфигурации Snapdragon 820 составляет 2.2 ГГц. На аппаратном уровне обеспечена поддержка оперативной памяти формата LPDDR4 с тактовой частотой до 1866 МГц, LTE X12 (прирост скорости на 33% в сравнении с LTE X10), взаимодействия с видеотрактом Adreno 530 с 40%-м приростом быстродействия в сравнении с Adreno 430, графического API OpenGL ES 3.1+, разрешения 4K для базового дисплея или внешнего монитора/телевизора (при Full HD базового), технологии быстрой подзарядки Qualcomm Quick Charge 3.0 (двукратный прирост скорости зарядки), Wi-Fi 802.11ac (Qualcomm VIVE) и многое другое.
Qualcomm Snapdragon 830 быть!
