Samsung начинает массовое производство 3D NAND флэш-памяти

Южнокорейская компания Samsung сообщила о начале массового производства модулей памяти по своей новой технологии под названием V-NAND flash. После почти 10 лет исследований компания Samsung сумела обойти проблемы, связанные с расширением объемов традиционных чипов памяти NAND, сделав их трехмерными. Вместо того, чтобы просто комплектовать чипы ячейками памяти в одной плоскости (2D), компания применила собственную разработку Charge Trap, чтобы построить трехмерные модули памяти (3D), также известные как вертикальная NAND флеш-память (V-NAND).

Новая флэш-память от Samsung является всего лишь последовательным улучшением существующих решений, однако все же имеет некоторые преимущества по сравнению с существующими технологиями. Так, по заявлению Samsung, ее новые чипы памяти будут, по крайней мере, в два раза надежнее нынешних модулей.

Новые V-NAND Flash чипы позволят Samsung достичь 128-гигабитной (16 Гбайт) мощности, которая в настоящее время является самой высокой плотностью флэш-памяти на рынке. Это означает, что Samsung сможет построить чипы памяти с большей плотностью, чем когда-либо. Благодаря вертикальному размещению ячеек, производитель может увеличить емкость карт памяти и твердотельных жестких дисков без кардинального изменения размеров и без последствий для надежности.

В настоящее время в компании Samsung не уточнили, когда именно чипы, созданные по ее новой технологии, появятся на рынке.