Samsung запускает производство 3-габайтных чипов ОЗУ для смартфонов

В среду южнокорейская компания Samsung объявила о начале массового производства 3 Гбайт памяти типа LPDDR3 для смартфонов. Производитель заявил, что первые телефоны с новой оперативной памятью на 3 Гбайт появятся во второй половине этого года. Ранее сообщалось, что следующий флагман компании — смартфон Galaxy Note 3 — будет поставляться с оперативной памятью объемом 3 Гбайт. Нынешнее заявление компании свидетельствует о том, что это действительно возможно. Кроме того, как ожидается, LG G2 также получит объем оперативки 3 Гбайт.

Кроме экономного энергопотребления, новые модули оперативной памяти отличаются более быстрой работой и «полной» поддержкой LTE-А. Их конструкция позволит производителям создавать более тонкие устройства или использовать освободившееся место для аккумуляторов большей емкости или других компонентов.

Модуль мобильной оперативной памяти Samsung LPDDR3 на 3 Гбайт состоит из шести наименьших 20-нанометровых чипов и в толщину достигает всего 0,8 мм. Он обеспечивает скорость передачи данных до 2133 мегабит в секунду на контакт. Пока нельзя с полной уверенностью утверждать, получат ли Galaxy Note 3 и LG G2 новые модули оперативной памяти на 3 Гбайт от Samsung. В своем пресс-релизе компания сообщает, что “применение модулей будет расширяться на самые мощные смартфоны по всему миру в следующем году", что свидетельствует о том, что компания готова предложить эти компоненты различным производителям мобильных устройств.