Процессоры
Exynos переведут на самое тонкое из доступных кремниевому прогрессу техническое производство 10 нанометров в течение 2016-го года. Уже через одно поколение флагманских смартфонов
GALAXY мы получим устройство, которое практически не расходует заряд батарейки при вычислительных нагрузках. Более того, компоновка чипсета с 10-нанометровым техпроцессом позволит дооснастить центральное звено потребительской электроники дополнительными компонентами. Подобная технология вертикального размещения поточных процессоров и высокопроизводительных блоков уже получила название
FinFET и активно развивается силами самых разных компаний (
Qualcomm,
Intel,
AMD и так далее). Также озвученные планы на 2016-й год подтверждают ранние домыслы аналитиков и экспертов в IT-области о намерениях
Samsung масштабно развернуть процессорный бизнес и выступить конкурентом тайваньской мануфактуры
TSMC, планирующая освоить 10 нанометров в 2016-м.