HD SIM-карты: разработка началась
16 ноября 2007г.
Компании Intel и Infineon Technologies объединяют свои усилия для разработки нового типа SIM-карт. Новые симки, помимо выполнения обычных функций, будут обладать памятью, превышающей память обычной карты в 1000 раз (то есть, их объем составит до 64 МБ).
Infineon Technologies займется разработкой микроконтроллера и микропроцессора, а Intel направит усилия своих разработчиков на производство флэш-памяти NOR-типа. Производство этого типа памяти не требует больших затрат, поэтому цены на SIM-карты нового поколения несильно ударят по карманам абонентов мобильной связи.
Это выгодно отличает память NOR-типа от памяти NAND, на основе которой Samsung уже выпустил в свет несколько SIM-карт объемом 1 ГБ.
Появление первых симок нового типа намечено на вторую половину 2008 г. Начало серийного производства планируется в 2009 г. По прогнозам аналитиков, в 2010 г. доля новых SIM-карт на мировом рынке составит 6-8%.
Infineon Technologies займется разработкой микроконтроллера и микропроцессора, а Intel направит усилия своих разработчиков на производство флэш-памяти NOR-типа. Производство этого типа памяти не требует больших затрат, поэтому цены на SIM-карты нового поколения несильно ударят по карманам абонентов мобильной связи.
Это выгодно отличает память NOR-типа от памяти NAND, на основе которой Samsung уже выпустил в свет несколько SIM-карт объемом 1 ГБ.
Появление первых симок нового типа намечено на вторую половину 2008 г. Начало серийного производства планируется в 2009 г. По прогнозам аналитиков, в 2010 г. доля новых SIM-карт на мировом рынке составит 6-8%.
